- Главная
- Материалография и пробоподготовка
- Электронные микроскопы
- Ионный микроскоп V400ACE FIB
Ионный микроскоп V400ACE FIB
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы0

В отличие от электронных микроскопов, ионные обладают рядом уникальных преимуществ, открывающих новые особые способности и возможности для исследования и непосредственного взаимодействия с исследуемым образцом.
Уникальность ионных микроскопов заключается в том, что вместо традиционного источника пучка выступают не электроны, а ионы, которые, благодаря своей значительно большей массе и размеру, позволяют как сканировать область образца и получать изображение, так и при высоких токах и энергиях выбивают атомы с поверхности образца – тем самым изменяя топологию и раскрывая ранее недоступные области для анализа. Фактически, две модели, представленные FEI v400ace и Vion Plasma FIB так же являются растровыми сканирующими микроскопами но с иным источником сканирующего луча. В отличие от v400ace, в котором используется ионная пушка на основе ионов галлия (Ga+), позволяющих проводить прецизионные и чистые поперечные срезы (Cross Section), в Vion Plasma FIB используется более новая технология – плазменная ионная пушка (Plasma FIB) на основе ионов ксенона (Xe+). Благодаря данной технологии Vion Plasma FIB позволяет проводить, как достаточно точные поперечные сечения, так и сечения огромных размеров – несколько сотен микрон, при этом за достаточно короткое время.
V400ACE FIB объединяет в себе последние разработки в проектировании ионной колонны, подачи газа и точечного позиционирования для обеспечения быстрого, эффективного, экономичного производства интегральных схем. Система позволяет производителям полупроводниковых схем развести проводящие дорожки и протестировать работу измененных схем в течение считанных часов, а не недель или месяцев, которые потребуются для создания новых масок и обработки новых пластин традиционными методами. Ионная колонна Tomahawk обеспечивает непревзойденные возможности при непрерывной работе в диапазоне ускоряющего напряжения от 30 кВ до 0,5 кВ. Высокая плотность тока при травлении при ускоряющем напряжении 30 кВ обеспечивает быстрое удаление материала и увеличение пропускной способности, в то время как работа при низком напряжении используется для селективного травления меди.
Характеристики
| |||||||
Производитель | «FEI Company», США |
Ионный микроскоп V400ACE FIB отзывы
Ультразвуковые дефектоскопы Ручные спектрометры Портативные рентгеновские аппараты Ультразвуковые толщиномеры Твердомеры Толщиномеры покрытий